K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCPB tarafından Samsung Electronics ve IS43TR16256AL-125KBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution IncAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Aktif
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BCPB IS43TR16256AL-125KBL
Marka Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
Organizasyon 512M x 16 —
Veri Hızı 2133 Mbps 1600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C 0°C ~ 95°C
Paket 96FBGA (TFBGA) 96-TWBGA (9x13mm)
Number of Terminals 96 96
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
RoHS Durumu Compliant (per Lisleapex listing) Compliant
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Besleme Gerilimi — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin