K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCPB מאת Samsung Electronics ו IS43TR16256AL-125KBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ פעיל
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A8G165WB-BCPB IS43TR16256AL-125KBL
מותג Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
ארגון 512M x 16 —
קצב נתונים 2133 Mbps 1600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C 0°C ~ 95°C
מארז 96FBGA (TFBGA) 96-TWBGA (9x13mm)
Number of Terminals 96 96
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
ממשק DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
סטטוס RoHS Compliant (per Lisleapex listing) Compliant
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
גודל זיכרון — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
מתח אספקה — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר