K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCPB توسط Samsung Electronics و IS43TR16256AL-125KBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G165WB-BCPB IS43TR16256AL-125KBL
برند Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 —
نرخ داده 2133 Mbps 1600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
دمای کاری 0C to +85C 0°C ~ 95°C
بسته‌بندی 96FBGA (TFBGA) 96-TWBGA (9x13mm)
Number of Terminals 96 96
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
رابط DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
وضعیت RoHS Compliant (per Lisleapex listing) Compliant
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
اندازه حافظه — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
ولتاژ تغذیه — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت