K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics và IS43TR16256AL-125KBL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt động
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCPB IS43TR16256AL-125KBL
Thương hiệu Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps 1600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C 0°C ~ 95°C
Hộp 96FBGA (TFBGA) 96-TWBGA (9x13mm)
Number of Terminals 96 96
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
Trạng thái RoHS Compliant (per Lisleapex listing) Compliant
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Kích thước bộ nhớ — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Điện áp cung cấp — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá