K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BPH90 tarafından Samsung Electronics ve IS43TR16256A-125KBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution IncAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktifISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $19,09 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organizasyon | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Veri Hızı | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.35V (DDR3L) | — |
| Paket | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS Gecikme | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Pin Sayısı | — | 96 |