K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BPH90 bằng Samsung Electronics và IS43TR16256A-125KBL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ Hoạt độngISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $19,09 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Tổ chức | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| Điện áp cung cấp | 1.35V (DDR3L) | — |
| Hộp | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Latency CAS | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Số lượng chân | — | 96 |