K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BPH90 بواسطة Samsung Electronics و IS43TR16256A-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $19.09 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| معدل البيانات | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| جهد التغذية | 1.35V (DDR3L) | — |
| العلبة | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| زمن الوصول CAS | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| عدد الدبابيس | — | 96 |