K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BPH90 بذریعہ Samsung Electronics اور IS43TR16256A-125KBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ فعال
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BPH90 IS43TR16256A-125KBL
برانڈ Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $19.09
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Density 4Gb —
تنظیم 32M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 —
ڈیٹا ریٹ 2133 Mb/s per pin 1600MT/s
سپلائی وولٹیج 1.35V (DDR3L) —
پیکیج 96FBGA 96-TWBGA (9x13mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +85°C 0°C to +95°C (Tc)
CAS لیٹنسی Programmable up to 14 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 (with burst chop 4)
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS Compliant Yes —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS — Compliant
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں