K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646E-BCMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BCMA
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $3,77
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal)
Veri Hızı DDR3-1600 (800 MHz) —
Paket 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm)
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C (TC) 0C to +95C
CAS Gecikme 11 (CL-tRCD-tRP) —
Burst Length 8 (fixed), 4 (burst chop) —
On-Die Termination Yes (dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Clock / Data Rate — 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin
Operating Supply Current (IDD) — 55 mA
Standby Current — 2 mA
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT supported
Data Mask Function — Yes
Montaj Türü — Surface Mount (BGA)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin