K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYK0 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646E-BCMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BCMA
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $3,77
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal)
Tốc độ dữ liệu DDR3-1600 (800 MHz) —
Hộp 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C (TC) 0C to +95C
Latency CAS 11 (CL-tRCD-tRP) —
Burst Length 8 (fixed), 4 (burst chop) —
On-Die Termination Yes (dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Clock / Data Rate — 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin
Operating Supply Current (IDD) — 55 mA
Standby Current — 2 mA
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT supported
Data Mask Function — Yes
Kiểu lắp đặt — Surface Mount (BGA)
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá