K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYK0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646E-BCMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BCMA
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $3.77
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
سازمان 256M x 16 256M x 16
ولتاژ تغذیه 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal)
نرخ داده DDR3-1600 (800 MHz) —
بسته‌بندی 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm)
دمای کاری 0°C to +95°C (TC) 0C to +95C
تأخیر CAS 11 (CL-tRCD-tRP) —
Burst Length 8 (fixed), 4 (burst chop) —
On-Die Termination Yes (dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Clock / Data Rate — 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin
Operating Supply Current (IDD) — 55 mA
Standby Current — 2 mA
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT supported
Data Mask Function — Yes
نوع نصب — Surface Mount (BGA)
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت