M29W400FB55N3E vs M29W400FB55N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W400FB55N3E tarafından Micron Technology ve M29W400FB55N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
Organizasyon 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x8 / 256K x16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Arayüz Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel (asynchronous)
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Boot block with hardware sector protection
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Pins 48 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
RoHS Durumu Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Bellek Boyutu — 4 Mbit
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin