M29W400FB55N3E vs M29W400FB55N3F موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W400FB55N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W400FB55N3F بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
تنظیم 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x8 / 256K x16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
انٹرفیس Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel (asynchronous)
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Boot block with hardware sector protection
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Pins 48 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
میموری سائز — 4 Mbit
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں