M29W400FB55N3E vs M29W400FB55N3F مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W400FB55N3E توسط Micron Technology و M29W400FB55N3F توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
سازمان 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x8 / 256K x16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
رابط Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel (asynchronous)
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Boot block with hardware sector protection
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Pins 48 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
وضعیت RoHS Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
اندازه حافظه — 4 Mbit
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت