M29W400FB55N3E vs M29W400FB55N3F So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W400FB55N3E bằng Micron Technology và M29W400FB55N3F bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
Tổ chức 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x8 / 256K x16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Giao diện Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel (asynchronous)
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Boot block with hardware sector protection
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Pins 48 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Trạng thái RoHS Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Kích thước bộ nhớ — 4 Mbit
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá