M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W640GB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W320DB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Flash |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Arayüz | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Organizasyon | 4M x16 / 8M x8 | 2M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Paket | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |