M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W640GB70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W320DB70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Flash |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| انٹرفیس | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| سپلائی وولٹیج | 2.7 V to 3.6 V | — |
| تنظیم | 4M x16 / 8M x8 | 2M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +125C | -40C to +125C |
| پیکیج | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |