M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3E So sánh
So sánh chi tiết song song của M29W640GB70N3E bằng Micron Technology và M29W320DB70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W640GB70N3E ✓ Hoạt độngMicron Technology
M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron
M29W320DB70N3E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Flash |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Giao diện | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Điện áp cung cấp | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Tổ chức | 4M x16 / 8M x8 | 2M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Hộp | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |