MJ3055 vs MJ2955 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MJ3055 tarafından Seme LAB ve MJ2955 tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre MJ3055 MJ2955
Marka Seme LAB onsemi
Kategori Transistors Transistors
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity NPN PNP (complement of 2N3055)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) 60 V —
Maximum Collector Current (IC) 10 A —
Paket TO-3 (hermetically sealed metal can) TO-3 (TO-204-3) metal case
Technology Bipolar (BJT), silicon NPN —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation PD] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V)
Geçiş Frekansı (ft) [DATA_NEEDED: fT] 4 MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage [DATA_NEEDED: VCE(sat)] —
Montaj Türü Through Hole Chassis / Through-hole bolt-down
Hermetic Sealing Yes (metal can) —
Screening Options BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Complementary PNP Type MJ2955 —
Typical Applications General-purpose amplifier and switching —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Transistor Türü — PNP
Toplayıcı-Emisör Voltage (Vceo) — 60 V
Toplayıcı-Basıt电压 (Vcbo) — 60 V
Emisör-Basıt Voltage (Vebo) — 7 V
Continuous Collector Current (IC) — 15 A
Continuous Base Current (IB) — 7 A
Power Dissipation (PD) — 115 W at 25 °C case
Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) — 1.52 °C/W
Toplayıcı-Emisör Doldurma电压 (Vce(sat)) — 1.1 V typical (at IC = 15 A)
İşletim Jant Sıcaklığı — -65 °C to +200 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin