MJ3055 vs MJ2955 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MJ3055 מאת Seme LAB ו MJ2955 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MJ3055 MJ2955
מותג Seme LAB onsemi
קטגוריה Transistors Transistors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity NPN PNP (complement of 2N3055)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) 60 V —
Maximum Collector Current (IC) 10 A —
מארז TO-3 (hermetically sealed metal can) TO-3 (TO-204-3) metal case
Technology Bipolar (BJT), silicon NPN —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation PD] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V)
תדר מעבר (ft) [DATA_NEEDED: fT] 4 MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage [DATA_NEEDED: VCE(sat)] —
סוג הרכבה Through Hole Chassis / Through-hole bolt-down
Hermetic Sealing Yes (metal can) —
Screening Options BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Complementary PNP Type MJ2955 —
Typical Applications General-purpose amplifier and switching —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
סוג טרנזיסטור — PNP
מתח אספן-פולט (Vceo) — 60 V
מתח קולט-בסיס (Vcbo) — 60 V
מתח פולט-בסיס (Vebo) — 7 V
Continuous Collector Current (IC) — 15 A
Continuous Base Current (IB) — 7 A
Power Dissipation (PD) — 115 W at 25 °C case
Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) — 1.52 °C/W
מתח רוויה קולט-פולט (Vce(sat)) — 1.1 V typical (at IC = 15 A)
טמפרטורת צומת פעולה — -65 °C to +200 °C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר