MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MMA25312BT1 tarafından NXP Semiconductors ve MMA20312BT1 tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MMA25312BT1 MMA20312BT1
Marka NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategori RF Amplifiers RF Amplifiers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Ağ Yapısı 2-stage linear driver amplifier 2-stage Class AB cascade
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz 1800 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 26 dB 27.2 dB
Saturated Output Power 31 dBm (typ) —
Noise Figure 3.8 dB at 2.5 GHz —
Besleme Gerilimi 3 V to 5 V 5 V
Besleme Akımı 124 mA (typ) —
Test Frequency 2.5 GHz —
İşletim Sıcaklığı -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RF Type WiMAX, WLAN —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per NXP product page)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Product Type — RF Linear Power Amplifier
Saturated Output Power (Psat) — 30.5 dBm (~1.1 W)
Supply Current (Idq) — 70 mA typical
Paket / Kas — 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad
RF Input/Output Match — Internal 50 ohm
Supported RF Standards — LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin