MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MMA25312BT1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MMA20312BT1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MMA20312BT1 MMA20312BT1 - 2-Stage InGaP HBT Linear Amplifier, 1.8-2.2 GHz | NXP

MMA20312BT1 - 2-Stage InGaP HBT Linear Amplifier, 1.8-2.2 GHz | NXP

MMA20312BT1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MMA25312BT1 MMA20312BT1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ RF Amplifiers RF Amplifiers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
ٹوپولوجی 2-stage linear driver amplifier 2-stage Class AB cascade
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz 1800 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 26 dB 27.2 dB
Saturated Output Power 31 dBm (typ) —
Noise Figure 3.8 dB at 2.5 GHz —
سپلائی وولٹیج 3 V to 5 V 5 V
سپلائی کرنٹ 124 mA (typ) —
Test Frequency 2.5 GHz —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RF Type WiMAX, WLAN —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per NXP product page)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Product Type — RF Linear Power Amplifier
Saturated Output Power (Psat) — 30.5 dBm (~1.1 W)
Supply Current (Idq) — 70 mA typical
پیکیج / کیس — 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad
RF Input/Output Match — Internal 50 ohm
Supported RF Standards — LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں