STBV45-AP vs STBV45 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma STBV45-AP tarafından STMicroelectronics ve STBV45 tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre STBV45-AP STBV45
Marka STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategori Transistors Transistors
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Technology High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure
Toplayıcı-Emisör Voltage (Vceo) 400 V 400 V
Toplayıcı-Basıt电压 (Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO value] 400 V
Emisör-Basıt Voltage (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO value] [DATA_NEEDED: VEBO rating]
Continuous Collector Current (IC) 0.75 A 750 mA
Peak Collector Current [DATA_NEEDED: ICM value] —
Total Power Dissipation (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] [DATA_NEEDED: minimum hFE value]
Geçiş Frekansı (ft) [DATA_NEEDED: fT] [DATA_NEEDED: fT value]
Switching Speed Very high (fast-switching grade) —
Reverse Bias SOA Wide RBSOA per datasheet —
Paket TO-92AP (Ammopack, radial leads) TO-92-3 (through-hole)
Montaj Türü Through-Hole (Ammopack tape) Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Power Dissipation (Pd) — 950 mW
Toplayıcı-Emisör Doldurma电压 (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) value]
Pinout — Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin