STBV45-AP vs STBV45 So sánh

So sánh chi tiết song song của STBV45-AP bằng STMicroelectronics và STBV45 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

STMicroelectronics
STBV45 STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics

STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics

STBV45 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số STBV45-AP STBV45
Thương hiệu STMicroelectronics STMicroelectronics
Danh mục Transistors Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Technology High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure
N Nap-Emit (Vceo) 400 V 400 V
N Nap (Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO value] 400 V
N Nap-cơ sở (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO value] [DATA_NEEDED: VEBO rating]
Continuous Collector Current (IC) 0.75 A 750 mA
Peak Collector Current [DATA_NEEDED: ICM value] —
Total Power Dissipation (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] [DATA_NEEDED: minimum hFE value]
Tần số chuyển đổi (ft) [DATA_NEEDED: fT] [DATA_NEEDED: fT value]
Switching Speed Very high (fast-switching grade) —
Reverse Bias SOA Wide RBSOA per datasheet —
Hộp TO-92AP (Ammopack, radial leads) TO-92-3 (through-hole)
Kiểu lắp đặt Through-Hole (Ammopack tape) Through Hole
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj max] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Power Dissipation (Pd) — 950 mW
N Nap-Emit (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) value]
Pinout — Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá