STBV45-AP vs STBV45 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار STBV45-AP توسط STMicroelectronics و STBV45 توسط STMicroelectronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر STBV45-AP STBV45
برند STMicroelectronics STMicroelectronics
دسته‌بندی Transistors Transistors
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Technology High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo) 400 V 400 V
ولتاژ کلکتور-بیس (Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO value] 400 V
ولتاژ امیتر-بیس (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO value] [DATA_NEEDED: VEBO rating]
Continuous Collector Current (IC) 0.75 A 750 mA
Peak Collector Current [DATA_NEEDED: ICM value] —
Total Power Dissipation (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] [DATA_NEEDED: minimum hFE value]
فرکانس گذار (ft) [DATA_NEEDED: fT] [DATA_NEEDED: fT value]
Switching Speed Very high (fast-switching grade) —
Reverse Bias SOA Wide RBSOA per datasheet —
بسته‌بندی TO-92AP (Ammopack, radial leads) TO-92-3 (through-hole)
نوع نصب Through-Hole (Ammopack tape) Through Hole
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj max] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Power Dissipation (Pd) — 950 mW
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) value]
Pinout — Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت