STBV45-AP vs STBV45 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STBV45-AP بذریعہ STMicroelectronics اور STBV45 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STBV45-AP STBV45
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ Transistors Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Technology High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure
کلیکٹر-ایمیٹر وولٹیج (Vceo) 400 V 400 V
کلیکٹر-بیس وولٹیج (Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO value] 400 V
ایمیٹر-بیس وولٹیج (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO value] [DATA_NEEDED: VEBO rating]
Continuous Collector Current (IC) 0.75 A 750 mA
Peak Collector Current [DATA_NEEDED: ICM value] —
Total Power Dissipation (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] [DATA_NEEDED: minimum hFE value]
ٹرانزیشن فریکوئنسی (ft) [DATA_NEEDED: fT] [DATA_NEEDED: fT value]
Switching Speed Very high (fast-switching grade) —
Reverse Bias SOA Wide RBSOA per datasheet —
پیکیج TO-92AP (Ammopack, radial leads) TO-92-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through-Hole (Ammopack tape) Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj max] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Power Dissipation (Pd) — 950 mW
کلیکٹر-ایمیٹر سیچوریشن وولٹیج (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) value]
Pinout — Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں