IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R270D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IPT022N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ فعالInfineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGLR70R270D2SXUMA1 | IPT022N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | StrongIRFET 2 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | Trench MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40C to +150C (junction) | -55C to +175C |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 236 A |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | — | 2.2 mΩ |
| Power Dissipation at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 250 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |