IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IGLR70R270D2SXUMA1 bằng Infineon và IPT022N10NF2SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IGLR70R270D2SXUMA1 | IPT022N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | StrongIRFET 2 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | Trench MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| Hộp | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40C to +150C (junction) | -55C to +175C |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 236 A |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | — | 2.2 mΩ |
| Power Dissipation at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 250 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |