IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IGLR70R270D2SXUMA1 توسط Infineon و IPT022N10NF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ فعالInfineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IGLR70R270D2SXUMA1 | IPT022N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | StrongIRFET 2 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | Trench MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| محدوده دمای کاری | -40C to +150C (junction) | -55C to +175C |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 236 A |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | — | 2.2 mΩ |
| Power Dissipation at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 250 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |