K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M16LY-075:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCWE | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| پیکیج | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| CAS لیٹنسی | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |