K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics và MT40A512M16LY-075:E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt độngMicron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCWE | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $6,25 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Hộp | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Latency CAS | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |