IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR3710ZTRPBF bằng Infineon và IRFR540ZTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 110 A
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical V]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET™ / HEXFET®
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 28.5 mΩ max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 91 W
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá