1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1ED3124MC12HXUMA1 | 2ED2106S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) |
| Number of Drivers | 1 | 2 |
| عدد المخارج | 1 | 2 (1 high-side, 1 low-side) |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| زمن الصعود | 15 ns | — |
| زمن السقوط | 30 ns | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | — |
| العلبة | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8-69 (DSO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Offset Voltage (Voffset max) | — | 650 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS, TTL |
| Propagation Delay (typ.) | — | 100 ns |
| عدد الدبابيس | — | 8 |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| نوع الخرج | — | Half-Bridge, Non-Inverting |