1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2106S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
Çıkış Sayısı 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Artış Süresi 15 ns —
Düşüş Süresi 30 ns —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS Durumu Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
Pin Sayısı — 8
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Çıkış Türü — Half-Bridge, Non-Inverting

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin