1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3124MC12HXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
आउटपुट की संख्या 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
राइज़ टाइम 15 ns —
फॉल टाइम 30 ns —
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C —
पैकेज PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS स्थिति Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
पिन की संख्या — 8
Bootstrap Diode — Integrated
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
आउटपुट प्रकार — Half-Bridge, Non-Inverting

डेटाशीट और संसाधन

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