1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 1ED3124MC12HXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও 2ED2106S06FXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
আউটপুটের সংখ্যা 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
রাইজ টাইম 15 ns —
পতন সময় 30 ns —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40 C to +125 C —
প্যাকেজ PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
পিনের সংখ্যা — 8
Bootstrap Diode — Integrated
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
আউটপুট টাইপ — Half-Bridge, Non-Inverting

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট