1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
מספר יציאות 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 30 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
סטטוס RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
מספר פינים — 8
Bootstrap Diode — Integrated
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
סוג פלט — Half-Bridge, Non-Inverting

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר