2ED2304S06F vs 2ED2304S06FXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2304S06F بواسطة Infineon و 2ED2304S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2304S06F | 2ED2304S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| البنية الطوبولوجية | High-side + Low-side, half-bridge | — |
| Technology | Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) | Infineon thin-film SOI |
| Maximum Blocking Voltage (High-Side) | 650 V | — |
| Source Current (typ.) | 0.36 A | 0.36 A |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | 0.7 A |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) | — |
| Input Pins | LIN (low-side in), HIN (high-side in) | — |
| Shoot-Through Protection | Built-in interlock logic | — |
| العلبة | PG-DSO-8-910 (DSO-8) | PG-DSO-8-910 (DSO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Power Devices | IGBTs and power MOSFETs | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) |
| Blocking Voltage (High-Side) | — | 650 V |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) |
| VCC Supply Range | — | 10 V to 17 V |
| Bootstrap Diode | — | Integrated (BSD) |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB-VS) |
| Interlock / Anti-Shoot-Through | — | Built-in |
| Propagation Delay (typ.) | — | 200 ns |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| مستوى MSL | — | 2 |