2ED2304S06F vs 2ED2304S06FXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2ED2304S06F بذریعہ Infineon اور 2ED2304S06FXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2ED2304S06F 2ED2304S06FXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
ٹوپولوجی High-side + Low-side, half-bridge —
Technology Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) Infineon thin-film SOI
Maximum Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) —
Input Pins LIN (low-side in), HIN (high-side in) —
Shoot-Through Protection Built-in interlock logic —
پیکیج PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Power Devices IGBTs and power MOSFETs —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40C to +125C
MSL لیول — 2

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں