2ED2304S06F vs 2ED2304S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2304S06F tarafından Infineon ve 2ED2304S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2304S06F 2ED2304S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Ağ Yapısı High-side + Low-side, half-bridge —
Technology Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) Infineon thin-film SOI
Maximum Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) —
Input Pins LIN (low-side in), HIN (high-side in) —
Shoot-Through Protection Built-in interlock logic —
Paket PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Power Devices IGBTs and power MOSFETs —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
MSL Seviyesi — 2

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin