2EDL8034G4CXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 2ED2103S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8034G4CXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 675 V
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
عدد المخارج 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) —
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +125 C —
العلبة PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر