2EDL8034G4CXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8034G4CXTMA1 tarafından Infineon ve 2ED2103S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL8034G4CXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 675 V
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Çıkış Sayısı 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) —
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Fonksiyon — Half-Bridge Gate Driver
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin