2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2N7002H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | 2N7002H6327XTSA2 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| العلبة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 Automotive |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| العلبة / الحالة | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| عدد الدبابيس | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |