2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002H6327XTSA2 BSS308PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 Automotive
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
پیکیج / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
پنز کی تعداد — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں