2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS308PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | 2N7002H6327XTSA2 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| Paket | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 Automotive |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Paket / Kas | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |