2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 2N7002H6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS308PEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | 2N7002H6327XTSA2 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| প্যাকেজ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 Automotive |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |