2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2N7002H6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2N7002H6327XTSA2 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 Automotive |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| पैकेज / केस | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |