2N7002LT1G vs MMBF170LT1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2N7002LT1G بواسطة onsemi و MMBF170LT1 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2N7002LT1G | MMBF170LT1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | onsemi |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | — |
| العلبة | SOT-23-3 (TO-236) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 | — |
| الفئة | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | DMOS |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | onsemi (ON Semiconductor) |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| Part Number | — | MMBF170LT1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 60 V |
| Drain-Gate Voltage (VDGS) | — | 60 Vdc |
| Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) | — | ±20 Vdc (per datasheet) |
| Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) | — | ±40 Vpk (tp <= 50 ms) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 500 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| Total Device Dissipation (PD) | — | 225 mW (Ta, FR-5 board) |
| العلبة / الحالة | — | SOT-23-3 (TO-236) |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| حالة RoHS | — | Compliant (per onsemi product page) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes (per datasheet) |