2N7002LT1G vs MMBF170LT1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2N7002LT1G bằng onsemi và MMBF170LT1 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Hoạt động
onsemi
MMBF170LT1 MMBF170LT1 - 60V 500mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

MMBF170LT1 - 60V 500mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

MMBF170LT1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2N7002LT1G MMBF170LT1
Thương hiệu onsemi onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
Hộp SOT-23-3 (TO-236) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 3 —
Danh mục Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Part Number — MMBF170LT1
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Hộp / Vỏ — SOT-23-3 (TO-236)
Số chân — 3
Trạng thái RoHS — Compliant (per onsemi product page)
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá