2N7002LT1G vs MMBF170LT1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002LT1G بذریعہ onsemi اور MMBF170LT1 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002LT1G MMBF170LT1
برانڈ onsemi onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
پیکیج SOT-23-3 (TO-236) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
زمرہ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Part Number — MMBF170LT1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
پیکیج / کیس — SOT-23-3 (TO-236)
پن کی تعداد — 3
RoHS اسٹیٹس — Compliant (per onsemi product page)
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں